W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Państwa urządzeniu końcowym. Możecie Państwo dokonać w każdym czasie zmiany ustawień dotyczących cookies.

Kontakt

Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych im. Włodzimierza Trzebiatowskiego Polskiej Akademii Nauk

ul. Okólna 2, 50-422 Wrocław

tel.: 071 343 5021
fax: 071 344 1029

e-mail: intibs@intibs.pl

skrytka ePUAP: /INTiBS/SkrytkaESP

PKD: 7219Z

NIP: 896-00-07-258

REGON: 000326109

stypendium naukowe w projekcie NCN SHENG 2 (SN.111.25.2023)

Wersja strony w formacie XML
Uzasadnienie wyboru
Wybrany kandydat Róża Janiszewska
Uzasadnienie wyboru Konkurs został rozstrzygnięty. Wybrana została pani Róża Janiszewska. Do konkursu wpłynęło jedno podanie. Kandydatka spełniła wymagania konkursowe.
Szczegóły
Stanowisko stypendium naukowe w projekcie NCN SHENG 2 (SN.111.25.2023)
Miejsce pracy Oddział Spektroskopii Optycznej INTiBS PAN
Termin składania ofert
Miejsce składania ofert informacja w ogłoszeniu
Status rozstrzygnięte

KONKURS NA STYPENDIUM NAUKOWE W PROJEKCIE NCN SHENG 2 

Instytucja: Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN
Miasto: Wrocław
Stanowisko: stypendysta(-ka)
Liczba stanowisk: 1
Dyscyplina naukowa: nauki fizyczne
Data ogłoszenia: 16.06.2023
Termin składania dokumentów: 23.06.2023
Termin rozstrzygnięcia: 27.06.2023
Link do strony: https://www.intibs.pl/  
Słowa kluczowe: Biała emisja; Fotoprzewodnictwo; Półprzewodniki; Cienkie warstwy; Nanoceramiki 

Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych Polskiej Akademii Nauk we Wrocławiu ogłasza konkurs na stypendium naukowe finansowane z projektu pt. „Przestrajalne źródło emisji wzbudzane diodą laserową pracy ciągłej: zjawisko, mechanizm, sterowanie i zastosowania”, realizowanego na zlecenie Narodowego Centrum Nauki (grant SHENG 2 nr 2021/40/Q/ST5/00220) w Oddziale Spektroskopii Optycznej.
Wysokość stypendium naukowego wynosić będzie miesięcznie 2000 PLN i zostanie przyznane na okres 6 miesięcy z możliwością przedłużenia do maksymalnie 12 miesięcy. Stypendium będzie wypłacane na podstawie umowy zawartej pomiędzy stypendystą a Dyrektorem INTiBS PAN z dniem 01.07.2023. 
Opis zadań
Do zadań stypendysty(-ki) będą należały: otrzymanie próbek w postaci nanokrystalicznych półprzewodników GaN i AlN domieszkowanych jonami lantanowców oraz przeprowadzenie szczegółowej charakterystyki strukturalnej i spektroskopowej przygotowanych materiałów. Stypendysta/ka będzie zobowiązany do analizy otrzymanych rezultatów i prezentacji wyników. Istnieje możliwość wykonania pracy dyplomowej.
Wymagania w stosunku do kandydata
W trakcie trwania stypendium stypendysta(-ka) musi być studentem co najmniej 4 roku jednolitych studiów magisterskich lub 1 roku studiów II stopnia realizowanych w uczelniach na terytorium Polski, uczestnikiem studiów doktoranckich lub doktorantem w szkole doktorskiej, w zakresie fizyki, chemii lub pokrewnym.
Oczekiwania wobec kandydatów:

  • znajomość języka angielskiego na poziomie komunikatywnym, pozwalającym na sprawne posługiwanie się literaturą naukową;
  • doświadczenie w syntezie materiałów nieorganicznych będzie dodatkowym atutem;
  • doświadczenie w charakterystyce fizykochemicznej materiałów nieorganicznych będzie dodatkowym atutem;
  • umiejętność opracowywania wyników w formie pisemnej i graficznej;
  • samodzielność, dobra organizacja pracy, umiejętność pracy w zespole.

Przystąpienie do konkursu
Kandydat przystępując do konkursu powinien złożyć:

  1. Wniosek o przyznanie stypendium skierowany do Dyrektora INTiBS PAN. We wniosku należy zawrzeć klauzulę: „Wyrażam zgodę na przetwarzanie moich danych osobowych zawartych w mojej ofercie pracy dla potrzeb niezbędnych do realizacji procesu bieżącej rekrutacji (zgodnie z art. 6 ust. 1 lit. A Ogólnego Rozporządzenia Parlamentu Europejskiego i Rady (UE) 2016/679 z dnia 27 kwietnia 2016 r. w sprawie ochrony osób fizycznych w związku z przetwarzaniem danych osobowych i w sprawie swobodnego przepływu takich danych oraz uchylenia dyrektywy 95/46/WE i ustawy z dnia 10 maja 2018 r. o ochronie danych osobowych (Dz. U. 2018 poz. 1000)”.
  2. Życiorys naukowy, który zawierać będzie informacje na temat:
    • dorobku naukowego kandydata, w tym publikacji w renomowanych wydawnictwach/czasopismach naukowych;
    • osiągnięć wynikających z prowadzenia  badań  naukowych,  stypendiów,  nagród oraz  doświadczenia naukowego  zdobytego w  kraju  lub  za  granicą, warsztatów i szkoleń naukowych, udziału w projektach badawczych;
    • posiadanych kompetencji do realizacji określonych zadań w projekcie badawczym.
  3. Dokumentację potwierdzającą informacje zawarte w życiorysie naukowym, 
    w szczególności kopie artykułów naukowych, certyfikaty, ewentualnie rekomendacje opiekunów naukowych, itp.
  4. Potwierdzenie posiadania statusu studenta lub doktoranta w całym okresie na który przyznane zostanie stypendium.

Podania w formie elektronicznej należy przesłać na adres e-mail: m.stefanski@intibs.pl z tytułem wiadomości „Konkurs na stypendystę SHENG 2 w OSO ” w terminie do 23.06.2023 r.

Dodatkowe informacje
Konkurs przeprowadzony zostanie zgodnie z „Regulaminem przyznawania stypendiów naukowych NCN w projektach badawczych finansowanych ze środków Narodowego Centrum Nauki” będącego załącznikiem do uchwały Rady NCN nr 25/2019 z dnia 14 marca 2019 roku.
Dane osobowe
Pani/Pana dane osobowe są gromadzone i przetwarzane przez Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN we Wrocławiu zgodnie z informacją o przetwarzaniu danych osobowych dostępną na stronie: https://bip.intibs.pl/artykuly/173/rodo  



Powiadom znajomego